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顶点财经栗智:工信部公布国产光刻机,跟投国产替代

2024-09-18 20:37:04     来源:网络  阅读量:19001   会员投稿

催化事件:工信部官方文件披露国产ArF光刻机进入推广应用阶段。9月9日,工信部公布《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》,其中集成电路生产装备章节列示了氟化氪(KrF)光刻机、氟化氩(ArF)光刻机两项,意味着国产KrF、ArF光刻机已完成首台生产、进入推广应用阶段。

一、国产ArF光刻机对应制程≤65nm,干式DUV光刻机

根据工信部文件所示的核心技术指标,该ArF光刻机分辨率≤65nm,即对应单次曝光关键尺寸≤65nm(通俗称即为制程≤65nm),预计为数值孔径(NA)相对较低的干式ArF光刻机。2018年3月上海微电子的干式ArF光刻机SSA600通过验收,SSA600最高可满足12寸线90nm光刻工艺需求,工信部列示的 ArF光刻机与SSA600均为干式+ArF光源,但制程更先进,预计因数值孔径有所增加、但仍有较大提升空间。 二、列示ArF光刻机套刻精度≤8nm,尚有提升空间

根据工信部文件所示的核心技术指标,该ArF光刻机套刻精度≤8nm,作为对标,当前ASML生产的干式ArF光刻机主力机型NXT:1470,其分辨率≤57nm、套刻精度≤4.5nm。套刻精度即多次光刻的图案层之间的对齐精度,多重曝光工艺对套刻精度的要求更高,预计工信部列示的ArF光刻机尚需提升套刻精度才能满足多重曝光工艺。三、国产光刻机及光刻工艺技术持续进展,信息部分公开提振市场信心

此前国产光刻机相关公开信息较少,保密程度高,而2024年以来,3月22日华为公开四重曝光工艺技术改进优化的专利,6月20日工信部发布《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》公示稿(后于9月9日正式发布),9月10日上海微电子公开“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的专利,国内光刻设备及曝光工艺公开信息增多,有助于提振市场信心。

指导目录亦列示涂胶显影、CMP、量测等半导体设备

工信部在推广应用指导目录中,列举了涂胶显影机(工艺节点等于或优于28nm)、化学机械抛光机(工艺节点等于或优于14nm)、光学线宽量测装备等,其余亦包含湿法清洗、氧化炉、离子注入等环节装备,当前国产半导体设备多领域处于研发突破关键阶段,短板领域未来有望加速补齐,助力先进制程产线国产化率进一步提升。

五、投资分析意见

官方披露核心设备进展提振市场信心,国产光刻机相关产业链受益,国内晶圆厂扩产自主可控可期,国产半导体设备整体受益。国产光刻机相关标的:茂莱光学,波长光电,炬光科技,福晶科技;半导体设备公司:中微不司(刻蚀、薄膜沉积等),北方华创(薄膜沉积、刻蚀、清洗设备、氧化炉等),中科飞测、精测电子(前道检测量测设备),拓荆科技(薄膜沉积、键合设备等),芯源微(涂胶显影、清洗设备等)。

栗智(执业编号:A0380623120005)简介:

顶点财经首席投顾,厦门大学管理学学士,拥有十余年投资经验,独创《智富寻龙术》,以“资金观天象,逻辑寻龙脉,量价定龙头”的寻龙诀,从容把握成长型黑龙、题材型白龙和情绪型红龙的腾飞机遇。

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